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美國(guó)TI具有保護(hù)，感測(cè)或電源管理功能的集成MOSFET和柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案。借助集成的FET解決方案，我們的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器可提供有效的開(kāi)關(guān)和電流控制，以大程度地提高單個(gè)芯片的輸出電流能力。智能柵極驅(qū)動(dòng)器集成了無(wú)源組件，以減小電路板尺寸，設(shè)計(jì)復(fù)雜性和成本，支持可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動(dòng)電流，靈活的MOSFET選擇，效率，低EMI和小的電路板空間。

DRV835x美國(guó)TI驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品特點(diǎn)如下：

9至100V，三重半橋變頻器驅(qū)動(dòng)器

集成降壓穩(wěn)壓器
所謂的三路低端電流并聯(lián)放大器
智能門(mén)驅(qū)動(dòng)架構(gòu)
可調(diào)擺率控制以實(shí)現(xiàn)EMI性能
V GS握手和少的死區(qū)時(shí)間插入以防止直通
50mA至1A初始源電流
100mA至2A的前置灌電流
通過(guò)強(qiáng)大的降低降低dV / dt
集成式螺桿驅(qū)動(dòng)器電源
倍壓系數(shù)泵，用于100％PWM轉(zhuǎn)矩控制
低側(cè)線(xiàn)性穩(wěn)壓器
集成LM5008A降壓穩(wěn)壓??器
6至95V工作電壓范圍
2.5至75V，350mA輸出能力
集成三路電流分流放大器
可調(diào)增益（5、10、20、40 V / V）
雙向或單向支持
6x，3x，1x和獨(dú)立PWM模式
支持120°感應(yīng)操作
提供SPI或硬件接口
低功耗睡眠模式（V VM = 48V時(shí)為20 µA ）
集成保護(hù)功能
VM欠壓鎖定（UVLO）
無(wú)人機(jī)驅(qū)動(dòng)器電源欠壓（GDUV）
MOSFET V DS過(guò)流保護(hù)（OCP）
防止MOSFET擊穿
門(mén)驅(qū)動(dòng)器故障（GDF）
熱警告和關(guān)閉（OTW / OTSD）
故障狀態(tài)指示燈（nFAULT）

美國(guó)TI  DRV835x系列設(shè)備是用于三相無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)應(yīng)用的高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)器。這些應(yīng)用包括BLDC電機(jī)的磁場(chǎng)定向控制（FOC），正弦電流控制和梯形電流控制。器件變體提供可選的集成電流分流放大器，以支持不同的電機(jī)控制方案，并提供降壓調(diào)節(jié)器來(lái)為柵極驅(qū)動(dòng)器或外部控制器供電。

美國(guó)TI  DRV835x采用智能柵極驅(qū)動(dòng)（SGD）架構(gòu)，以減少M(fèi)OSFET擺率控制和保護(hù)電路通常必需的外部組件數(shù)量。SGD架構(gòu)還優(yōu)化了死區(qū)時(shí)間，以防止直通情況，通過(guò)MOSFET壓擺率控制提供降低電磁干擾（EMI）的靈活性，并通過(guò)V GS監(jiān)控器防止柵極短路情況。強(qiáng)大的柵極下拉電路有助于防止不必要的dV / dt寄生柵極導(dǎo)通事件

支持各種PWM控制模式（6x，3x，1x和獨(dú)立），以簡(jiǎn)化與外部控制器的接口。這些模式可以減少電機(jī)驅(qū)動(dòng)器PWM控制信號(hào)所需的控制器輸出數(shù)量。該器件系列還包括1x PWM模式，可通過(guò)使用內(nèi)部塊換向表對(duì)BLDC電機(jī)進(jìn)行簡(jiǎn)單的感應(yīng)梯形控制。

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